10個のIGBTハイパワーヒートシンクが出荷されました

本日、ハイパワーIGBTヒートシンク、合計10個の受注を終了いたしました。 ヒートシンクには高密度のフィンを備えたアルミニウム製ヒートシンクが含まれており、パフォーマンスを向上させるために銅製のヒートパイプがベースに埋め込まれています。 Sinda Thermal をお選びいただきありがとうございます。明日までにお客様への発送を手配いたします。

   IGBT は Insulated Gate Bipolar Transistor の略で、MOSFET の高入力インピーダンス特性と GTR の低いオンステージ電圧降下を組み合わせた新しい種類のパワー半導体と見なすことができます。電圧制御、低圧損、高耐圧のパワースイッチです。 IGBT コンポーネントはますます統合され、強力になっています。動作時に大量の熱が発生します。熱が適切に放散されない場合、過熱状況によってデバイスが焼損し、モジュールが破損するため、熱放散能力の要件が厳しくなります。 IGBT プロジェクトの重要な課題です。