トランジスタテクノロジーの革新：新しいテクノロジーは、冷却能力を2回以上増加させる可能性があります！

半導体デバイスの小型化の増加に伴い、パフォーマンス、信頼性、およびこれらのデバイスの寿命に影響を与える可能性のある、電力密度の増加や熱生成などの問題が現れています。ダイヤモンド上のガリウム（GAN）は、両方の材料には高い導電率とダイヤモンドの高い熱伝導率を可能にし、それらを優れた熱散逸基板として配置する広いバンドガップを備えているため、次世代半導体材料として有望な見通しを示しています。
報告によると、大阪メトロポリタン大学の研究チームは、従来のトランジスタの熱散逸能力を2倍以上持つ窒化ガリウム（GAN）トランジスタを作成するための基質として、地球上で最も熱的に導電性の天然物質であるダイヤモンドを使用しています。最新の研究では、大阪公立大学の科学者は、基質としてダイヤモンドを使用してGAN高電子移動度トランジスタを製造しています。この新しいテクノロジーの熱散逸性能は、炭化シリコン（SIC）基質で製造された同様の形状のトランジスタの2倍以上です。界面の熱抵抗を大幅に減らし、熱散逸性能を向上させます。